4年

深圳市易芯易电子科技有限公司

收藏本公司 人气:137384

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
  • 会员类型:
  • 会员年限:4年
  • 赵小姐 QQ:2355619871
  • 电话:13049883113
  • 手机:13049883113
  • 高小姐 QQ:2355619872
  • 电话:0755-29474369
  • 地址:福田区振兴路海外装饰大厦A座16楼1611
  • 传真:0755-29474369-82731090
  • E-mail:2355619871@qq.com

产品分类

IC芯片(5000)

集成电路(IC)(308)

电源IC(10)

半导体存储器(40)

二极管(69)

三极管(4)

场效应管(模块)(26)

可控硅/晶闸管(2)

单片机(1)

电容器(33)

电阻器(25)

电感器(28)

电位器(3)

电源/稳压器(32)

微调电位器(1)

石英晶体器件(28)

连接器/接插件(121)

开关(53)

传感器(123)

保险丝(16)

放电管(2)

普通电池/蓄电池/动力电池(3)

变压器(24)

变送器(7)

继电器(33)

变频器(1)

放大器(22)

电声元件(3)

电声(扬声器)配件(1)

电线电缆(17)

光电子/光纤/激光(7)

LED(34)

电子测量仪器(1)

LED生产线制造设备(1)

五金/工具(2)

其他未分类(19)

您的当前位置:首页 > 元器件产品 > 半导体存储器

非IC库存

供应 存储器AT24C01D-XHM-T

存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:4.5μs

供应 存储器 AT24C04D-MAHM-T

存储器类型:非易失 存储器格式 :EEPROM 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 电压 - 电源:1.7 V ~ 3.6 V

供应 嵌入式 - 微控制器ATTINY1617-MNR

连接性:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:256 x 8 RAM 容量:2K x 8

供应 存储器EPCQ64ASI16N

可编程类型:系统内可编程 存储容量:64Mb 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC

供应 存储器AT24C16D-MAHM-E

存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页: 5ms 访问时间:450ns

供应 嵌入式 - 微控制器ATMEGA2560-16AUR

连接性: EBI/EMI,I2C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 程序存储容量:256KB(128K x 16) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:8K x 8

供应 存储器PC28F00AP30BFA

存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率 : 52MHz 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 2 V

供应 存储器 AT24C16C-SSHM-B

存储器类型 : 非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:16Kb (2K x 8) 写周期时间 - 字,页:5ms 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V

供应 存储器AT24C01C-SSHM-T

存储器类型 :非易失 存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM 存储容量:1Kb (128 x 8) 写周期时间 - 字,页:5ms

供应 存储器S34ML01G200TFI000

存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND 存储容量:1Gb (128M x 8) 写周期时间 - 字,页:25ns 电压 - 电源 :2.7 V ~ 3.6 V

供应 嵌入式 - 微控制器ATSAMA5D27-SOM1

模块/板类型:MPU 코어 核心处理器:ARM® Cortex®-A5 速度: 500MHz 闪存大小 :64Mb 闪存,1Kb EEPROM RAM 容量:1Gb(128K x 8) 连接器类型:边缘连接器

供应 嵌入式 - 微控制器 STM32F070F6P6TR

核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I2C,SPI,UART/USART,USB 程序存储容量:32KB(32K x 8)

供应 嵌入式 - 微控制器TMS320F28377SPZPT

核心处理器 :C28x 速度:200MHz 连接性:CANbus,I2C,McBSP,SCI,SPI,uPP,UART/USART,USB 外设 :DMA,POR,PWM,WDT 程序存储容量: 1MB(512K x 16)

供应 嵌入式 - 微控制器 MSP432P401RIPZR

核心处理器 :ARM® Cortex®-M4F 连接性:SPI,UART/USART 外设:DMA,POR,PWM,WDT 程序存储器类型:闪存 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.62 V ~ 3.7 V

供应 嵌入式 RFPIC12F675K-I/SS

程序存储器类型:闪存(1.75 kB) RAM 容量:64 x 8 电压 - 电源:2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) 供应商器件封装:20-SSOP

供应 存储器S29GL256P11TFIV23

标准包装:1000 存储容量: 256Mb (32M x 8) 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

供应存储器EPCS64SI16N

可编程类型:系统内可编程 存储容量 :64Mb 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

供应嵌入式 - 微控制器 ATXMEGA16E5-AUR

核心尺寸: 8/16-位 速度 :32MHz 连接性: SPI,UART/USART 外设 :欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT 程序存储容量: 16KB(8K x 16)

供应嵌入式 - 微控制器 ATMEGA328P-PU

连接性:I2C,SPI,UART/USART 外设: 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 程序存储容量: 32KB(16K x 16) 程序存储器类型 :闪存 EEPROM 容量:1K x 8

供应 存储器AT18F010-30XU

封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装: 20-TSSOP 存储容量 :1Mb 电压 - 电源 :3 V ~ 3.6 V 可编程类型:闪存

供应嵌入式 - 微控制器 ATMEGA16U4-AU

核心处理器:AVR 连接性:I2C,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,温度传感器,WDT 程序存储容量:16KB(8K x 16) 程序存储器类型:闪存

供应 嵌入式 - 微控制器 TM4C129XNCZADI3

核心处理器 :ARM® Cortex®-M4F 连接性:CANbus,EBI/EMI,以太网,I2C,IrDA,QEI,SPI,SSI,ART/USART,USB OTG 外设:掉电检测/复位,DMA,运动控制 PWM,POR,PWM,WDT 程序存储容量: 1MB(1M x 8) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

供应 存储器 - 控制器BQ2205LYPW

控制器类型:非易失性 SRAM 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-20°C ~ 70°C 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装 :16-TSSOP

供应 存储器 - 控制器CY7C68033-56LTXC

控制器类型:NAND 闪存 - USB 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳 :56-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:56-QFN-EP(8x8)

供应嵌入式 - 微控制器MSP430F5438AIPZR

程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器: A/D 16x12b 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

供应 存储器 AT24C02C-SSHM-T

存储器格式 :EEPROM 存储容量:2Kb (256 x 8) 工作温度 : -40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳 :8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 存储器接口:I2C

供应 存储器FM24CL64B-GTR

技术:FRAM(铁电体 RAM) 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率 :1MHz 电压 - 电源 : 2.7 V ~ 3.65 V 工作温度 :-40°C ~ 85°C(TA)

供应存储器JS28F256M29EWLA

存储容量:256Mb (32M x 8,16M x 16) 写周期时间 - 字,页:110ns 电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度 :-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 :表面贴装

供应 嵌入式 SST89E58RD2-40-C-NJE

连接性:EBI/EMI,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT 程序存储容量: 40KB(40K x 8) 电压 - 电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA)

供应存储器 AT45DB642D-CNU

存储容量:64Mb (1056 字节 x 8192 页) 写周期时间 - 字,页:6ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 供应商器件封装:8-CASON(6x8) 存储器类型:非易失

供应原装正品闪存TC554161AFT-70L

封装:TSOP 品牌:TOSHA 年份:18+ 数量:60000 规格:***

供应 嵌入式微控制器 LPC2292FBD144

程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 供应商器件封装:144-LQFP(20x20)

供应存储器SST25VF016B-75-4I

存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:80MHz 写周期时间 - 字,页 :10μs 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

供应 嵌入式微控制器AT91SAM7S256C-AU

连接性:I2C,SPI,SSC,UART/USART,USB 外设: 欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT 程序存储容量:256KB(256K x 8) 电压 - 电源(Vcc/Vdd):1.65 V ~ 1.95 V 数据转换器:A/D 8x10b

供应原装正品存储器IS61WV51216BLL-10TLI

写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 电压 - 电源\t:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 型号:IS61WV51216BLL-10TLI

供应内存芯片H5DU5162ETR-E3C全新原装

封装:TSSOP 数量:6000 年份:18+ 数据:536,870,912 绝缘高度 :*** 大小/尺寸:***

供应存储器MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

存储容量:2Gb (256M x 8 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I

供应存储器JS28F128J3D75A

存储容量:128Mb (16M x 8,8M x 16) 写周期时间 - 字,页:75ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

联系我们
深圳市易芯易电子科技有限公司
地址:福田区振兴路海外装饰大厦A座16楼1611
联系人:赵小姐/高小姐
电话:13049883113/0755-29474369
传真:0755-29474369-82731090
手机:13049883113/
友情链接
总公司网站